Phys.org報導，復旦大學和中國科學院微電子研究所的Long-Fei He及相關研究人員最近在新的應用物理學快報(AIP)期刊上發表了一個關于新型態存儲器的論文。

　　由于大多數現有的存儲器技術都太過笨重，無法整合應用在顯示面板上，研究人員一直都在研究全新的設計和材料，試圖制造出同樣具有良好性能、卻能超薄的儲存設備。

　　在這項新的研究中，研究人員透過二維過度金屬材料“二硫化鉬”(MoS2)的應用，創造出一種原子級薄度的半導體，它的電導率(conductivity)可以被精細的調整，進而形成具有高開關電流比的存儲器基礎元件。

　　除此之外，團隊也在測試中證實，這類型存儲器具有運行速度快、大容量的存儲器空間和優異的保存性，研究人員估計，即使處在85°C(185°F)的高溫下10年，儲存空間仍可以保存原有的60%左右，對于實際應用來說仍然足夠。

　　過去已有研究證實二硫化鉬具有光敏性(photoresponsive)，這意味著一些性質可以運用光來控制，為了了解實際應用情況，團隊也實際進行了相關實驗，結果他們發現，當光線照射到已編程的存儲設備上時，儲存資料被完全消除，但同時運用電壓抹除資訊的方式也仍然可以使用。

　　合著人Hao Zhu表示，團隊目前正在研究透過編程可控的光脈沖波長和時間，來大規模整合這種儲存元件。研究人員相信未來這種儲存設備，將會在系統整合型面板的應用上扮演重要角色。